紫外光源机型有功率 : 350W，500W，1000W，2000W，3500W，5000W 。
曝光光源尺寸 : 4″，6″，8″，10″，12″ 。
波长 : NUV (含365nm， 400nm，435nm) 光源平行半角 : 1.5~2.5度 (依出光口径)。
均匀度 : +-3~5% ，高压汞灯泡及电源供应器。
正面对准影像系统采用可变倍率镜头方便对准操作，标准倍率50X-300X，
配合CCD影像系统，19″ LCD萤幕 打光有LED同轴光或环形光， 观测的两点间距4cm-15cm ，
可选配镜头扫描台以快速移动镜头， 背面对准影像系统采用多段倍率镜头或固定倍率镜头，
双CCD摄影机影像系统，切换使用上影像LCD萤幕LED同轴打光， 两组背对准影像处理器，
镜头前后左右上下微调约10mm， 可加装破片对位用菱镜组。
光罩真空吸盘 : 上吸式或下吸式 4″， 5″，6″，7″， 9″ 。
晶圆真空 Chuck : 2″， 4″，6″，8″ 圆形或方形， 具光罩晶圆水平校正功能。
曝光模式有 : 真空接触式与近接式，可调整真空吸附力大小， X，Y轴调整10mm，调整解析度2um， Z轴可调整5mm， 千分表解析度1um， 上光罩开启以取放基板。
采PLC半自动操作系统， 可切换手动及自动模式。
操作流程 : 置基板(按键)上光罩关闭，镜头移入做对准动作， (按键)上光罩下压， 镜头移出灯源移入曝光(计时)，灯源移出取，上光罩开启，取基板。
曝光快门控制 : 计时器控制 0.1-999秒或能量控制 : 0.1~9000mJ/cm2。
产量依对位精度及曝光时间而不同最快可达每分钟曝三片，
采真空接触曝光图形解析最佳可达1um以内(正光阻厚1um)，
采近接式曝光依晶圆与光罩间距设定最佳约在3~5um。
