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本公司成立於2006年，為一小型之設備製造廠，專精於半導體微影製程之光罩對準曝光機及曝光源之開發製造，從曝光燈箱內的光學設計到各種型式的完整曝光機，本公司經多年努力已完全自行開發完成，並已出貨國內外眾多客戶，深獲好評。
訊息公告
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常見問題
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使用I-line濾鏡把NUV的另兩種波長濾除，為什麼I-line的強度會降低
I-line濾鏡會擋掉大部份H-line與G-line兩種波長，而讓約70%的I-line波長通過，但難免會擋掉一小部份I-line波長，目前尚無100%通過的濾鏡。
光罩與晶圓進行真空吸附時，以眼觀看發覺吸附不良，真空表的值也比正常值小，真空膜片也沒有內凹，需如何處理?
先檢查真空膜片是否有裂痕而需更換，若真空膜片良好也放置妥當，可再試著調整吸附真空，若情形無改善，可能是管路阻塞，需拆管路清潔。
請問同軸打光與環形打光的使用時機各為何?
同軸打光適用於有高反射率的金屬的align key，是影像系統打光的bright field，影像品質較佳，環形打光適用於align key有高度差的構造， 是影像系統打光的dark field，影像品質通常較差。
曝光源點燈後，電源供應器顯示的電壓電流值不斷變動，功率值也低，是否正常?
汞燈點燈後，由於燈泡剛亮，溫度尚低，水銀未能揮發成氣態，導電介值仍主要是內部之氣體，在水銀揮發前的過渡期，電壓電流會不斷變動。
置放晶圓要用什麼工具?
晶圓的置放可用平嘴鑷子夾晶圓邊，若是線路對微粒容忍比較高的製程甚至可以用載手套的手取放晶圓。
曝光源點燈後，電源供應器顯示的功率值一直很低，長時間仍無法到達設定值，請問是那邊故障?
汞燈點燈後，需待燈泡溫度上升，水銀完全揮發成氣態，功率才能到達設定值，若散熱風速太強造成燈泡無法升溫，功率就無法上升，光束強度也會非常弱。