本公司成立於2006年,為一小型之設備製造廠,專精於半導體微影製程之光罩對準曝光機及曝光源之開發製造,從曝光燈箱內的光學設計到各種型式的完整曝光機,本公司經多年努力已完全自行開發完成,並已出貨國內外眾多客戶,深獲好評。
光罩與基板欲進行真空吸附,chuck四週會有膜片封住,在對位時,需有吹氣破真空,以防止光罩與基板因膜片產生的真空而貼合阻礙對位進行, 吹氣時膜片會震動而發聲,可調整吹氣的大小以減低音量。
應該是快速掃描台內部的夾緊汽缸無法確實鎖定,請檢查氣壓是否不足,是否有漏氣,也有可能是夾緊汽缸的橡膠老化需要更換。
一般曝光製程不需使用濾鏡,I-line光阻使用NUV光源曝光效果正常,若您要測試光阻的材料性能,可以用濾鏡把另兩道光束濾除,以減少測試因素。
影像倍率加大則影像景深會變小,可把align gap調小以得到清晰的光罩與基板影像,但要注意避免align gap太小而造成兩者的接觸磨擦。
I-line濾鏡會擋掉大部份H-line與G-line兩種波長,而讓約70%的I-line波長通過,但難免會擋掉一小部份I-line波長,目前尚無100%通過的濾鏡。
使用兩支對準鏡頭可同時看到左右兩個align key,對位調整比較快。