本公司成立於2006年,為一小型之設備製造廠,專精於半導體微影製程之光罩對準曝光機及曝光源之開發製造,從曝光燈箱內的光學設計到各種型式的完整曝光機,本公司經多年努力已完全自行開發完成,並已出貨國內外眾多客戶,深獲好評。
可調整倍率使align key的影像約佔螢幕的1/4~1/2大小,以容易找到align key的前提下儘量提高倍率以增加解析度。
我們的標準曝光源,波長範圍為NUV(Near UV)含有I-line, H-line, G-line三個光束,適用你們的需求。
做晶圓破片對位時,兩支鏡頭因間距限制,無法同時看到左右影像,適合使用一支鏡頭,左右調整移動鏡頭來觀看對準情形,可配合使用快速掃描台加快對位速度。
影像倍率加大則影像景深會變小,可把align gap調小以得到清晰的光罩與基板影像,但要注意避免align gap太小而造成兩者的接觸磨擦。
若您是用在量產線,建議您使用1000W 6吋方曝光機,I-line光強度約40mW/cm2,曝光時間約4秒鐘。
先檢查真空膜片是否有裂痕而需更換,若真空膜片良好也放置妥當,可再試著調整吸附真空,若情形無改善,可能是管路阻塞,需拆管路清潔。